【EC安盈官网】借资本之力闯巨头之围十年逆袭长鑫科技上市倒计时

来源：江苏EC安盈官网新闻网站发布时间：2026-09-29 21:04:38栏目：市场资讯浏览：792 次

　　拟募资295亿元、借资巨头技上计刷新2026年以来A股最大IPO纪录的力闯国产DRAM龙头长鑫科技，进入上市倒计时。年逆

　　7月9日凌晨，袭长鑫科长鑫科技披露科创板上市招股意向书，市倒确定7月16日启动网上申购，借资巨头技上计EC安盈官网IPO进程进入最后倒计时。力闯

　　AI算力爆发带火了整条存储赛道，年逆也让长鑫科技迎来了改写全球DRAM产业格局的袭长鑫科历史窗口。但就在其登陆资本市场的市倒关口，三星、借资巨头技上计SK海力士两大韩系巨头已联手抛出规模空前的力闯扩产计划，巨头重兵压境之下，年逆EC Markets注册这家国产存储龙头的袭长鑫科突围之路备受市场关注。

　　IPO时间表落定

　　长鑫科技披露了最新的市倒上市发行时间表。

　　据公告，公司将于7月13日进行初步询价，7月15日刊登发行公告，7月16日正式启动申购，EC Markets外汇7月20日完成缴款。有证券行业人士对《华夏时报》记者表示，长鑫科技大概率将于7月下旬正式在科创板挂牌。

　　招股书显示，本次IPO长鑫科技拟初始公开发行股票66.88亿股，占发行后总股本的比例约为10%现货均价从2024年底的约8.1美元攀升至2026年6月底的约140美元，累计涨幅超16倍；DDR5，后者达1100万亿韩元（约合4.84万亿元人民币）。

　　在韩国扩产冲锋之下，长鑫科技该如何突围？

　　多位业内人士在与交流时表示，通用DRAM市场的供给缺口短期内难以弥合，长鑫科技仍享有宝贵的发展窗口期。此前业界也有消息称，苹果正在测试长鑫科技的DRAM芯片。

　　深度科技研究院院长张孝荣对表示，长鑫科技的突破路径在于：抓住本轮行业超级周期，利用巨头产能向HBM等AI存储倾斜导致通用存储缺货的窗口期，快速扩充DDR4/DDR5等主流产品产能，同时依托国产替代趋势深耕本土市场提升份额，巩固盈利拐点。

　　而在仍存技术差距的HBM领域，袁博对表示，目前国内存储芯片企业的最大短板集中在HBM领域。HBM对制程工艺要求极高，受EUV光刻机进口限制影响，国内企业在该领域的技术差距至少需要3到5年才能追赶，这一进程高度依赖国产半导体设备的技术突破。

　　对长鑫科技而言，本轮存储行业超级周期既是业绩红利期，也是追赶全球第一梯队的关键窗口期。能否在韩系巨头新增产能落地前完成产能爬坡、技术迭代与供应链自主能力的全面升级，将直接决定它在全球存储行业新格局中的位置。